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| 2010-12-03 |
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| ST推出降低車用功率場效應MOS晶體管電阻
意法半導體日前針對汽車市場推出一個新的大電流功率場效應MOS晶體管，該產(chǎn)品採用ST最新優(yōu)化的STripFET? 專利技術，實現(xiàn)了最低的導通電阻。新產(chǎn)品STD95N04 是一個40V的標準電平的DPAK產(chǎn)品，最大導通電阻RDS(on)6.5毫歐。這個80A的產(chǎn)品是專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制、電磁閥驅(qū)動器和ABS設計的。與採用傳統(tǒng)的溝道技術製造的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在價格和導通電阻性能上極具競爭力。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5毫歐區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標準閾壓的驅(qū)動要求。 STD95N04符合汽車電工理事會組件技術委員會針對汽車環(huán)境用組件製定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃ ，100%通過雪崩測試。 ST新的STripFET技術以密度大幅度提高的單元為基礎，導通電阻和功耗比上一代技術更低，佔用的矽片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應MOS晶體管將採用相同的技術，以滿足DPAK和D2PAK 的需求。
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